RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
42
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
20.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
4170
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link