RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3331
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link