RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
42
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2154
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link