RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2427
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link