RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2489
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link