RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
42
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2633
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link