RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
96
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1211
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link