RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2591
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link