RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
63
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1932
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link