RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
104
Rund um -420% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2707
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link