RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
104
Rund um -352% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3152
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Smart Modular SH564568FH8N6PHSFG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link