RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
72
104
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
1731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link