RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3090
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link