RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3529
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link