RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3505
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link