RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
104
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3497
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link