RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
104
Rund um -271% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3550
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link