RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2589
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link