RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
104
Rund um -300% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2437
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link