RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
23.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
104
Rund um -271% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
23.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
18.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
4114
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link