RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
104
Rund um -215% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2945
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link