RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
104
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2267
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link