RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
104
Rund um -316% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2975
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link