RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
104
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3112
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link