RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
104
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3331
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link