RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
104
Rund um -373% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3234
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link