RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
104
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2163
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link