RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
104
Rund um -373% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3264
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link