RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
104
Rund um -271% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2704
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link