RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2769
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link