RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
104
119
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
1.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2.0
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
119
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
1.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
2.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
447
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF186D.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link