RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
104
Rund um -225% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
6.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2238
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link