RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
104
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2389
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link