RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
104
Rund um -259% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2609
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link