RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
104
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2615
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link