RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
104
Rund um -373% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3110
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link