RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2341
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link