RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,574.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,858.9
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,574.4
14.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
607
3550
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link