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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,574.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,858.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,574.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
607
3067
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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