RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
74
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3065
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link