RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
74
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3734
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link