RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
74
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3273
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link