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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
74
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3098
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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