RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
74
Rund um -164% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3336
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link