RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
74
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
6.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
1740
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link