RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
74
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3068
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link