RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
74
83
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
1663
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link