RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
74
Rund um -147% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2306
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link