RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
74
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2702
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link