RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
74
Rund um -185% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3648
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link